深耕 IC 现货市场 多年，我们是您值得信赖的伙伴。
我们提供 无最低订购量 的灵活选择，最快可实现 当天发货。欢迎联系我们获取 IC 报价！
薄片与薄层电阻的关系及其在薄膜材料中的应用分析
FerriShield现货 > 产品资料 > 薄片 > 薄片与薄层电阻的关系及其在薄膜材料中的应用分析

薄片与薄层电阻的关系及其在薄膜材料中的应用分析

薄片与薄层电阻的基本概念

薄片电阻（Sheet Resistance）是衡量二维导电材料导电性能的重要参数，通常用符号 Rs 表示，单位为欧姆每方（Ω/□）。它不依赖于样品的几何尺寸，而是与材料的电阻率和厚度直接相关。对于薄膜材料而言，薄片电阻是评估其导电能力的关键指标。

薄片电阻与薄膜厚度的关系

根据物理公式：
Rs = ρ / t
其中，ρ 为材料的体电阻率（单位：Ω·cm），t 为薄膜厚度（单位：cm）。该公式表明：在体电阻率不变的前提下，薄膜越厚，其薄片电阻越小；反之，薄膜越薄，薄片电阻越大。

实际应用中的影响因素

  • 沉积工艺的影响：不同沉积方法（如溅射、蒸发、化学气相沉积）会影响薄膜的致密性与晶粒结构，从而改变电阻率，间接影响薄片电阻。
  • 表面粗糙度与缺陷密度：薄膜表面存在微孔或晶界缺陷会增加电子散射，提高有效电阻率，导致薄片电阻升高。
  • 温度与环境稳定性：某些薄膜在高温或潮湿环境下会发生氧化或扩散，引起电阻率变化，进而影响薄片电阻值。

工程应用实例

在柔性电子器件中，如触摸屏、OLED显示器和太阳能电池，透明导电氧化物（如ITO、AZO）薄膜的薄片电阻需控制在10–100 Ω/□范围内。通过精确调控沉积温度、氧气比例和厚度，可实现高透光率与低电阻的平衡。

NEW